Samsung 9100 PRO with Heatsink (MZ-VAP1T0C-ITNew) ベンチマークまとめ

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Samsung 9100 PROは、同社初のコンシューマー向けPCIe 5.0 NVMe SSDとして登場しました。本レポートでは、ヒートシンク搭載モデル（MZ-VAP1T0C-ITNew）を中心に、公開されているベンチマーク結果を詳細に分析します。

主な調査結果として、9100 PROはPCIe 5.0インターフェースの限界に迫る卓越したシーケンシャル読み書き速度を達成しています 1。特にPCMark 10 Full System Driveベンチマークなどで示されるアプリケーションやシステム全体の応答性においても、競合製品を凌駕する性能を発揮します 2。一方で、ランダム4K書き込み性能や、キャッシュ枯渇後の持続書き込み性能については、一部の競合製品と比較して見劣りする場面も見られました 4。

PCIe 5.0 SSDに共通する課題である発熱に対しては、ヒートシンクの搭載が不可欠であり、その効果と適切な冷却環境の重要性が確認されました 3。ただし、前世代の990 PROや一部の競合Gen5 SSDと比較して、電力効率は改善されています 1。Crucial T705などの主要な競合製品との比較では、それぞれに長所と短所があり、総合的な性能は非常に拮抗しています 2。本レポートは、これらの性能特性を詳細に分析し、9100 PROの技術的評価を提供します。

公式仕様

Samsung 9100 PROの性能を評価する上で、まずメーカーが公表している仕様を確認することが重要です。これらの数値は、後述するベンチマーク結果と比較する際の基準となります。

主要性能指標（シーケンシャル、ランダムIOPS）

9100 PROは、容量によって公称最大速度が若干異なります。シーケンシャル読み出し速度は最大14,800 MB/s（4TB/8TBモデル）、書き込み速度は最大13,400 MB/s（2TB/4TB/8TBモデル）に達します。1TBモデルでは、読み出し最大14,700 MB/s、書き込み最大13,300 MB/sとなります 1。これらの速度は、前世代のPCIe 4.0 SSDである990 PROの約2倍に相当します 1。

ランダムアクセス性能を示すIOPS（Input/Output Operations Per Second）も容量によって異なり、4TB/8TBモデルでは最大読み出し2,200,000 IOPS、最大書き込み2,600,000 IOPSを謳っています。1TB/2TBモデルでは、最大読み出し1,850,000 IOPS、最大書き込み2,600,000 IOPSです 1。

これらの高性能を実現する要素の一つが、Samsung独自の「Intelligent TurboWrite 2.0」技術です。これはSLC（Single-Level Cell）キャッシュを利用して書き込み速度を高速化するもので、公称性能の多くはこのキャッシュが有効な状態での測定値に基づいています 7。キャッシュサイズも容量によって異なり、1TBモデルで114GB、2TBモデルで226GB、4TBモデルで442GBとなっています 10。

表1: Samsung 9100 PRO 公式性能仕様（容量別）

容量モデルナンバー (ヒートシンク)最大シーケンシャル読込 (MB/s)最大シーケンシャル書込 (MB/s)最大ランダム読込 (IOPS)最大ランダム書込 (IOPS)Intelligent TurboWrite 2.0 キャッシュサイズ (GB)
1TBMZ-VAP1T0CW14,70013,3001,850,0002,600,000114
2TBMZ-VAP2T0CW14,70013,4001,850,0002,600,000226
4TBMZ-VAP4T0CW14,80013,4002,200,0002,600,000442

出典: 1

ハードウェア構成（コントローラー、NAND、DRAMキャッシュ）

9100 PROの中核をなすのは、Samsung自社開発のコントローラー「Presto」（S4LY027）です。このコントローラーは先進的な5nmプロセスで製造されており、高性能と電力効率の両立を目指しています 2。

搭載されているNANDフラッシュメモリは、Samsungの第8世代V-NAND TLC（236層）です 1。TLC（Triple-Level Cell）は、性能、容量、コストのバランスに優れたNANDタイプとして広く採用されています。

高速なデータアクセスを補助するDRAMキャッシュも搭載されており、容量に応じて1TBモデルには1GB、2TBモデルには2GB、4TBモデルには4GBのLPDDR4X SDRAMが実装されています 1。

フォームファクタは標準的なM.2 2280で、インターフェースはPCIe 5.0 x4、プロトコルはNVMe 2.0に対応しています 1。1TB、2TB、4TBモデルは片面実装であり、物理的な互換性が高い設計となっています 3。なお、将来発売予定の8TBモデルは異なる物理設計となる可能性があります 1。

耐久性と保証

SSDの寿命を示す指標であるTBW（Total Bytes Written）は、1TBモデルで600 TBW、2TBモデルで1,200 TBW、4TBモデルで2,400 TBWと、コンシューマー向けSSDとして標準的な値が設定されています 8。

保証期間は5年間の限定保証が付帯します 4。また、MTBF（Mean Time Between Failures、平均故障間隔）は150万時間とされています 1。

物理的特性と消費電力（ヒートシンク詳細含む）

ヒートシンク非搭載モデルの寸法は、標準的なM.2 2280サイズ（80.15 x 22.15 x 2.38 mm、1TB/2TB/4TB）です 1。ヒートシンク搭載モデルは、その分厚みが増しますが、競合製品のヒートシンクと比較してスリムな設計が特徴として挙げられており、PlayStation 5を含むスペースの限られた環境への適合性が考慮されています 3。

消費電力は、容量によって異なりますが、例えば2TBモデルのアクティブ時の平均消費電力は読み出し8.1W、書き込み7.9Wと公表されています 1。アイドル時の消費電力は非常に低く抑えられています 1。Samsungは、990 PROと比較して最大49%の電力効率向上を謳っており、これは5nmプロセスの新コントローラーとV8 NANDの採用によるものと考えられます 1。PCIe 5.0の高い性能を実現するには相応の電力が必要ですが、Samsungは後発として、初期のGen5競合製品（例えばPhison E26コントローラー搭載製品 2）が直面した高い消費電力と発熱の問題に対し、効率性を重視することで差別化を図ろうとしていることがうかがえます。

ベンチマーク性能レビュー

公称スペックだけでなく、第三者のレビューサイトによる実際のベンチマーク結果を分析することで、9100 PROの実性能をより深く理解することができます。ここでは、主要なベンチマークソフトの結果を整理し、競合製品との比較を行います。

シーケンシャル読み書き性能（CrystalDiskMark, ATTO）

多くのレビューで用いられるCrystalDiskMarkの結果を見ると、9100 PROは公称値に近い、あるいはそれに迫る非常に高いシーケンシャル性能を発揮しています。例えば、読み出し速度で14,300 MB/s～14,700 MB/s、書き込み速度で13,300 MB/s～13,400 MB/sといった実測値が報告されています 2。これは、前世代の990 PROと比較して約2倍の速度向上に相当します 2。

ATTO Disk Benchmarkの結果でも同様の傾向が見られ、ブロックサイズによっては読み出し13.78 GB/s、書き込み12.54 GB/sといったピーク性能が確認されています 15。Crucial T705との比較では、テスト条件によって優劣が入れ替わる場面もあります。例えば、T705が低キューデプス（QD1）での読み出しで僅かに速い場合がある一方、9100 PROは書き込み性能や高キューデプスでの読み出しで優位に立つことが多いようです 2。ATTOのブロックサイズ全体での性能の一貫性についても、9100 PROは良好な結果を示しています 5。

表2: シーケンシャルベンチマーク結果比較 (CrystalDiskMark / ATTO)

ベンチマークテストSamsung 9100 PRO (2TB/4TB)Crucial T705 (2TB)Samsung 990 PRO (2TB)主な出典
CDM 8 SEQ1M Q8T1 読込 (MB/s)14,300 – 14,75014,100 – 14,5007,400 – 7,5002
CDM 8 SEQ1M Q8T1 書込 (MB/s)13,300 – 13,45012,300 – 12,8006,800 – 6,9002
ATTO Peak Read (GB/s)~13.8~13.6~7.05
ATTO Peak Write (GB/s)~12.5 – 13.3~11.8 – 12.3~6.55

注: 上記の値は複数のレビューからのおおよその範囲または代表値です。テスト環境により変動します。

ランダム読み書き性能（CrystalDiskMark IOPS, 4K Q1T1）

OSの応答性やアプリケーションの起動速度に影響を与えるランダム4K Q1T1（キューデプス1、スレッド1）性能については、評価が分かれています。一部のレビューでは、特に読み出し性能においてクラス最高レベル、特にQD1で競合を上回る結果が報告されています 5。

一方で、ランダム4K Q1T1書き込み性能については、競合のPhison E26ベースのSSD（例: T705）や、場合によっては前世代の990 PROと比較しても平均的、あるいは低い数値を示すレビューも見られます 2。公称の最大ランダム書き込みIOPS（QD32）は2,600,000 IOPSと非常に高い 1 にも関わらず、低キューデプスでの書き込み性能が伸び悩む可能性がある点は注目に値します。

この、高いIOPS性能と一部テストでの低いランダム4K Q1T1書き込み性能との間の乖離は、Samsung Prestoコントローラー 11 のチューニング特性を示唆している可能性があります。コントローラーがシーケンシャル性能やシステム全体の応答性（PCMarkなどで測定される）を最優先するように設計されており、そのトレードオフとして、特定の低負荷・小容量ランダム書き込み性能が抑制されているのかもしれません。これは、しばしば強力なランダム書き込み性能を示すPhisonコントローラー 2 とは異なるアプローチであり、9100 PROの性能特性を理解する上で重要な点です。

アプリケーションおよびシステム性能（PCMark 10 Storage Tests）

実際のアプリケーション使用感をシミュレートするPCMark 10 Storage Benchmarkでは、9100 PROは非常に優れた性能を発揮します。特に「Full System Drive Benchmark」においては、複数のレビューでCrucial T705を含む競合製品を上回り、トップクラスのスコアと帯域幅を記録しています 2。これは、OSや日常的なアプリケーションの動作において、非常に高い応答性が期待できることを示しています。

ただし、「Data Drive Benchmark」（大容量ファイル転送などをシミュレート）においては、T705やSMI 2508コントローラー搭載ドライブ（例: Micron 4600）に僅かに及ばない結果も見られます 3。

さらに、ワークステーション用途を想定したSPECworkstationのストレージテストでは、9100 PROが過去にテストされたフラッシュベースSSDの中で群を抜く性能を示し、一部のテストではIntel Optane P5800Xに匹敵、あるいはそれを超える結果を記録したとの報告もあります 6。これは、特定のプロフェッショナルなワークロードにおいて、9100 PROが卓越した能力を持つ可能性を示唆しています。

表3: アプリケーション/システムベンチマーク比較 (PCMark 10 / SPECworkstation)

ベンチマークSamsung 9100 PRO (2TB/4TB)Crucial T705 (2TB)Samsung 990 PRO (2TB)主な出典
PCMark 10 Full System Score4,500 – 4,600 (トップクラス)3,800 – 4,0003,300 – 3,4002
PCMark 10 Full System Bandwidth (MB/s)680 – 700 (トップクラス)570 – 600500 – 5502
PCMark 10 Data Drive Score/BW良好だが、T705等に僅かに劣る場合あり非常に良好良好3
SPECworkstation Storage卓越した性能 (Optaneに匹敵する場合あり)(比較データ限定的)(比較データ限定的)6

注: スコアや帯域幅はテスト環境により変動します。相対的な性能傾向を示すものです。

ゲーミング性能（3DMark Storage Benchmark, ゲームロード時間）

ゲーム関連の性能を測定する3DMark Storage Benchmarkでは、9100 PROは上位に位置する良好な結果を示しています。ただし、ここでもCrucial T705やSMI 2508ベースのドライブに僅差で後れを取る場面も見られます 3。テストのサブ項目を見ると、ゲームのロードやデータ移動では9100 PROの高速性が活かされる一方で、ゲームの録画やインストール、セーブといった項目では、他のドライブが優位に立つこともあるようです 17。

実際のゲームロード時間については、「ファイナルファンタジーXIV：黄金のレガシー ベンチマーク」において、990 PROと比較して約0.6秒の短縮が見られたとの報告があります 18。また、Cyberpunk 2077などのロード時間比較でも、Gen4ドライブからの改善は確認できるものの、他のGen5ドライブとの差は僅かである可能性が示唆されています 19。

これらの結果から、9100 PROはトップクラスのゲーミングストレージ性能を提供しますが、その恩恵の大きさは状況によります。非常に高いシーケンシャル性能やまずまずのランダム読み出し性能 2 はロード時間短縮に貢献しますが 17、ゲームのロード処理は単純なシーケンシャルアクセスだけではないため、CPU性能やゲームエンジン側の最適化も大きく影響します。最速クラスのGen4 SSD（例: 990 PRO）と比較した場合、体感できるロード時間の差は、シーケンシャル速度の差ほど劇的ではないかもしれません 18。したがって、ゲーミング用途のみを目的とする場合、Gen5の価格プレミアムに見合う価値があるかは、ユーザーの要求レベルによって判断が分かれるでしょう 3。

持続書き込み性能とキャッシュ挙動

Intelligent TurboWrite 2.0によるSLCキャッシュが枯渇した後の、TLC NANDへの直接書き込み速度（持続書き込み性能）も重要な指標です。2TBモデルの場合、SLCキャッシュサイズは約226GB（静的10GB + 動的216GB）と推定されています 5。

キャッシュ枯渇後の書き込み速度については、レビューによって測定値にばらつきがありますが、Tom’s Hardwareでは約1.9 GB/s 5、ServeTheHomeでは約1.35 GB/s 6 と報告されています。Samsungのハイブリッドキャッシュ技術により、書き込み速度が極端に落ち込む「フォールディング」状態は回避され、比較的安定した書き込み挙動を示すと評価されています 5。

しかし、この1.35～1.9 GB/sという速度は、一部の競合製品、例えばSabrent Rocket 5（約4.45 GB/sと報告 5）と比較すると、かなり低い値です。これは、SamsungがV8 TLC NAND 11 のネイティブ書き込み速度を最大限に引き出すことよりも、キャッシュ動作の一貫性、耐久性、あるいは熱管理を優先した結果である可能性があります。このため、9100 PROはキャッシュ範囲内でのバースト的な書き込みには非常に高速ですが、数百GBを超えるような連続的な大容量書き込みが頻繁に発生する特定のワークロード（例: 大容量ビデオファイルの連続転送）においては、持続書き込み性能に特化したドライブに比べて不利になる可能性があります 5。

熱性能とヒートシンクの効果

PCIe 5.0 SSDの高性能化に伴い、発熱と、それに伴うサーマルスロットリング（性能低下）の管理が極めて重要になります。

負荷時の動作温度

ベンチマークテスト中の9100 PROの温度は、特に高負荷時にはかなりの高温に達することが報告されています。適切な冷却がない場合、80℃～90℃に達することもあり得ます 3。あるレビューでは、連続書き込みテスト前の最大温度が83℃、テスト終了後の最大温度が99℃（センサー値）に達したと報告されており、ヒートシンク自体も相当熱くなっていたとのことです 20。

ただし、高負荷状態が解消されれば、比較的速やかに温度は低下する傾向にあるようです 3。アイドル時の温度は、もちろん低く保たれます。

ヒートシンク vs. マザーボード冷却

Samsung純正ヒートシンクの効果については、一定の冷却効果はあるものの 3、特に高負荷が持続する場合、マザーボードに搭載されている大型のM.2ヒートシンクの方が冷却性能が高い可能性が指摘されています 4。ある比較テストでは、純正ヒートシンク使用時に最大82℃だったのに対し、マザーボードのヒートシンクでは61℃に抑えられたという結果も報告されています 4。

これは、Samsungの純正ヒートシンクが、最大の冷却能力よりも、PS5への搭載や狭いスペースへの適合性といったスリムさや互換性を優先した設計になっている可能性を示唆しています 3。したがって、十分なエアフローが確保されたケースで、高性能なマザーボードヒートシンクを利用できるユーザーは、ヒートシンク非搭載モデルを選択することでコストを抑えられるかもしれません。一方で、PS5ユーザーや冷却能力に制限のある環境では、ヒートシンク搭載モデルを選択することが推奨されますが、それでも極端な負荷状況下では性能が抑制される可能性は残ります。

複数のレビューで、良好なエアフローと組み合わせた適切な冷却（純正ヒートシンクまたはマザーボードヒートシンク）が、9100 PROの性能を最大限に引き出すために不可欠であると強調されています 3。

サーマルスロットリング分析

高負荷時に適切な冷却が行われない場合、9100 PROはサーマルスロットリングを起こし、性能が低下します 3。問題は、純正ヒートシンクが一般的な高負荷状況下でスロットリングを完全に防げるかどうかです。レビューによれば、極端な合成ベンチマーク負荷ではスロットリングが発生する可能性はあるものの、適切なエアフローがあれば、多くの実世界のシナリオでは性能を維持できるか、あるいは性能低下を軽減できると考えられます 4。

結論として、Gen5の性能を維持するためにはヒートシンクは必須ですが、純正ヒートシンクの絶対的な冷却能力と、マザーボード側の冷却ソリューションとの比較は、ユーザーのシステム環境（特にエアフロー）と想定されるワークロードの強度に大きく依存すると言えます。

競合製品との比較

9100 PROの性能を評価する上で、同世代の競合製品や前世代のハイエンド製品との比較は欠かせません。

vs. Crucial T705

主要な競合製品であるCrucial T705（Phison E26コントローラー搭載）との比較では、一長一短の関係が見られます。

  • 9100 PROが優位な点:
  • シーケンシャル書き込み速度 2
  • PCMark 10 Full System Drive Benchmark（システム応答性） 2
  • 電力効率 2
  • T705が優位な点（または拮抗する点）:
  • シーケンシャル読み出し速度（特にQD1） 2
  • ランダム4K書き込み性能（一部テスト） 2
  • PCMark 10 Data Drive Benchmark（大容量ファイル転送） 3
  • 3DMark Storage Benchmark（ゲーミング） 5

全体として、両者は非常に高性能なSSDであり、どちらが優れているかは重視する性能指標によって異なります。9100 PROはシステム全体の応答性と電力効率で、T705は特定の読み出しやデータ転送、ゲーミングベンチマークで僅かにリードする傾向があります。

vs. その他のGen5競合製品（Phison E26, SMI 2508）

Phison E26コントローラーを搭載する他のドライブ（例: Corsair MP700 3）や、SMI 2508コントローラーを搭載するドライブ（例: Micron 4600 5）と比較しても、同様の傾向が見られます。9100 PROはシステム性能で強みを発揮する一方、持続書き込み性能や一部のランダム書き込み性能では、他のアーキテクチャを採用するドライブに劣る可能性があります 5。

vs. ハイエンドGen4ドライブ（例: Samsung 990 PRO）

前世代のフラッグシップであるSamsung 990 PROと比較すると、9100 PROの性能向上は明らかです。シーケンシャル読み書き速度は約2倍に達しています 1。PCMark 10 Full System Drive Benchmarkでは約30～40% 2、3DMark Storage Benchmarkでは約20～30%のスコア向上が見られます 15。

ただし、これらの向上率が示すように、シーケンシャル性能の向上幅に比べて、アプリケーションやゲーミングにおける実用的な性能向上幅は小さくなります。特にゲーミングにおいては、ロード時間の短縮効果は存在するものの、その差は僅かである場合もあります 18。したがって、Gen5へのアップグレードの価値は、ユーザーのワークロードと、ピーク性能に対する要求度合いに大きく依存します 3。

表4: 競合ベンチマークサマリー（相対評価）

性能指標Samsung 9100 PROCrucial T705Samsung 990 PRO主な出典
ピークシーケンシャル読込非常に高い非常に高い (QD1で僅かに優位な場合あり)高い (Gen4)2
ピークシーケンシャル書込クラス最高レベル非常に高い (9100 PROに劣る場合あり)高い (Gen4)2
ランダム4K Q1T1 読込非常に高い (クラス最高レベルの場合あり)非常に高い高い2
ランダム4K Q1T1 書込平均的～良好 (競合より低い場合あり)良好～非常に高い良好2
PCMark 10 System Score/BWクラス最高レベル非常に高い (9100 PROに劣る)高い2
3DMark Storage Score非常に高い (T705等に僅かに劣る場合あり)非常に高い (トップクラス)高い3
持続書込速度 (キャッシュ枯渇後)平均的 (競合より低い)(データによるが、E26系は比較的高い傾向)(データによる)5
電力効率良好 (T705より優れる)平均的 (Gen5)非常に良好 (Gen4)1

注: 相対評価は複数のレビューに基づく総合的な傾向です。

結論と主要なポイント

Samsung 9100 PROは、現行世代におけるトップティアのPCIe 5.0 NVMe SSDであり、特にシーケンシャル性能とシステム全体の応答性において卓越したパフォーマンスを提供します 2。

主な強み:

  • PCIe 5.0インターフェースの限界に迫るクラス最高のシーケンシャル読み書き速度 1。
  • PCMark 10 Full System Drive Benchmarkで示される優れたシステム応答性 2。
  • 一部の競合Gen5 SSD（特にPhison E26ベース）と比較して改善された電力効率 2。
  • PS5や省スペースPCにも適合しやすいスリムなヒートシンクオプション 3。
  • 最大8TB（将来発売予定）までの大容量ラインナップ 1。

主な弱み・トレードオフ:

  • 高性能に伴う高い発熱。適切な冷却（ヒートシンクとエアフロー）が必須 3。
  • 一部のテストで見られる、競合製品と比較して平均的なランダム4K Q1T1書き込み性能 2。
  • SLCキャッシュ枯渇後の持続書き込み速度が、一部の競合製品ほど高くない 5。
  • 発売当初のプレミアムな価格設定 4。

ターゲットユーザー:

9100 PROは、最高のシーケンシャル性能とアプリケーション応答性を求めるプロフェッショナルユーザー（AI開発、8Kビデオ編集など 12）や、最新・最高のコンポーネントでシステムを構築したいエンスージアスト 22 にとって理想的な選択肢となります。特定の書き込み性能よりもシステム全体の快適性を重視するユーザーにも適しています。一方で、主な用途がゲーミングであり、コストパフォーマンスを重視する場合（高性能なGen4 SSDでも十分な場合が多い）や、絶対的な持続書き込み性能が最優先されるワークロードを持つユーザーにとっては、他の選択肢も検討に値するでしょう。

最後に、過去のSamsung製SSDにおける初期ファームウェアの問題 22 を考慮すると、最新モデルである9100 PROについても、長期的な信頼性に関する情報は引き続き注視していく必要があります（現時点で本モデルに関する具体的な問題は報告されていません）。

引用文献

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  9. SAMSUNG SSD 9100 PRO with Heatsink 1TB, PCIe 5.0×4 M.2 (MZ-VAP1T0CW) – Best Buy, 4月 29, 2025にアクセス、 https://www.bestbuy.com/site/samsung-ssd-9100-pro-with-heatsink-1tb-pcie-5-0x4-m-2-mz-vap1t0cw/6618926.p?skuId=6618926
  10. Samsung 9100 PRO Series SSDs with Breakthrough PCIe® 5.0 Performance, 4月 29, 2025にアクセス、 https://news.samsung.com/us/samsung-announces-9100-pro-series-ssds-with-breakthrough-pcie-5-0-performance/
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  21. Samsung 9100 Pro 2 TB | TechPowerUp Forums, 4月 29, 2025にアクセス、 https://www.techpowerup.com/forums/threads/samsung-9100-pro-2-tb.334509/
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